Intel fait son retour dans la production de mémoire
11 février 2026 à 16:24
Il est clair que la technologie Z-Angle Memory (ZAM) d'Intel a progressé. La semaine dernière, nous annoncions que le géant de Santa Clara s'était associé à SAIMEMORY, filiale de SoftBank, pour développer et commercialiser conjointement une nouvelle génération de DRAM basée sur cette solution. Aujourd'hui, cette entreprise de renom, qui n'avait pas été active sur ce segment depuis des décennies, a dévoilé un prototype de ZAM. La première présentation « officielle » de ZAM, la mémoire concurrente de HBM, a eu lieu lors d'Intel Connection Japan 2026. Parmi les intervenants figuraient Joshua Fryman, directeur technique d'Intel Government Technologies, et Makoto Onho, PDG d'Intel Japon. Jusqu'à présent, le projet n'existait que sous forme de documents techniques et de communiqués de presse. Un élément clé de la technologie ZAM est sa topologie d'interconnexion décalée. Au lieu du routage vertical traditionnel des interconnexions à travers les couches de mémoire successives (comme dans la mémoire HBM), Intel propose un routage en diagonale dans la pile de la puce. Cette approche vise à améliorer à la fois les performances et les caractéristiques thermiques. D'après les documents présentés lors de l'événement, la technologie ZAM peut apporter plusieurs avantages significatifs par rapport à la technologie HBM :
- consommation d'énergie réduite jusqu'à 40-50 %,
- processus de production simplifié grâce à l'architecture en Z,
- Capacité plus élevée par puce - jusqu'à 512 Go par puce.
L'accent a été mis principalement sur les problèmes thermiques. Les connexions diagonales utilisant des interconnexions en cuivre sont conçues pour réduire l'échauffement local des structures, ce qui constitue l'un des principaux défis des empilements DRAM multicouches. Le rôle d'Intel dans le projet n'a pas encore été précisément défini, mais les informations présentées indiquent que l'entreprise est responsable du financement initial et des décisions stratégiques. La présence de représentants de haut niveau laisse cependant penser que ZAM est bien plus qu'une simple expérience de recherche. Si ces annonces se confirment, la mémoire à angle Z pourrait devenir une alternative viable à la mémoire HBM pour les applications d'IA et de calcul haute performance. Face à la demande croissante de bande passante et d'efficacité énergétique, cette nouvelle architecture mémoire pourrait s'avérer un élément clé de la prochaine génération d'accélérateurs. Pour l'instant, il ne s'agit toutefois que d'un prototype, mais sa présentation publique démontre qu'Intel est déterminé à investir ce marché.
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