Le marché mondial des DRAM est déjà confronté à de graves problèmes d'approvisionnement, et la situation pourrait rapidement s'aggraver considérablement. L'administration américaine a annoncé l'instauration de droits de douane de 100 % sur les DRAM fabriquées hors des États-Unis. L'objectif est d'inciter la production à se relocaliser aux États-Unis et de renforcer l'industrie nationale des semi-conducteurs. Le gouvernement américain poursuit depuis longtemps une stratégie constante de renforcement de la production technologique locale. Le slogan « Fabriqué aux États-Unis » est devenu le fondement d'une nouvelle politique industrielle, dans le cadre de laquelle des géants de la technologie tels qu'Apple, NVIDIA et Intel ont annoncé des investissements de plusieurs milliers de milliards de dollars. Or, l'administration américaine se concentre désormais directement sur le marché de la mémoire vive (RAM). C'est la première fois que les autorités du pays ciblent aussi explicitement les producteurs de mémoire vive (DRAM), considérant ce secteur comme essentiel à la sécurité technologique du pays.
Lors de la cérémonie d'inauguration de la nouvelle usine Micron dans l'État de New York, le secrétaire au Commerce américain, Howard Lutnick, a clairement exprimé les intentions du gouvernement. Interrogé par un journaliste, il a déclaré sans ambages que les fabricants de mémoire n'avaient que deux options : soit payer un droit de douane de 100 %, soit délocaliser leur production aux États-Unis. En pratique, cela exerce une pression énorme sur des entreprises comme SK Hynix et Samsung, qui produisent actuellement leurs puces DRAM principalement en Corée du Sud et dans d'autres régions d'Asie. Délocaliser leur production aux États-Unis leur permettrait d'éviter complètement les nouveaux droits de douane, mais cela engendrerait des coûts considérables et un investissement pluriannuel. La décision du gouvernement américain n'est pas le fruit du hasard. L'essor de l'intelligence artificielle a engendré une hausse sans précédent de la demande en mémoire, qu'il s'agisse de DRAM traditionnelle ou de solutions spécialisées pour centres de données. Les pénuries sur le marché se font de plus en plus sentir, et les interventions politiques qui s'ensuivent ne font qu'accroître l'incertitude. Dans un monde où la production de semi-conducteurs est devenue un enjeu de rivalité géopolitique, les États-Unis souhaitent sécuriser l'accès à ces composants clés sur leur territoire, quitte à subir de nouvelles hausses de prix.
SK Hynix a récemment annoncé un investissement de 4 milliards de dollars dans une usine à West Lafayette, dans l'Indiana. Le problème est que cette usine est destinée à la recherche et au développement de technologies d'encapsulation 2.5D avancées, et non à la production de masse de DRAM. Avec la nouvelle réglementation, cela pourrait ne pas suffire à éviter les droits de douane. Micron, en tant qu'entreprise américaine, bénéficie d'une position privilégiée et coopère activement avec l'administration américaine pour reconstruire le secteur national de la mémoire. Bien que Samsung possède d'importantes usines de semi-conducteurs aux États-Unis, elle n'y produit actuellement pas de DRAM, ce qui soulève également des questions quant à son avenir. La nouvelle politique tarifaire n'affectera pas seulement les géants sud-coréens. Les entreprises taïwanaises telles que Nanya Technology et Winbond Electronics, acteurs majeurs du marché de la DRAM, pourraient également se voir imposer des droits de douane de 100 % si elles décident de ne pas implanter leur production aux États-Unis. Ceci illustre la volonté des États-Unis d'exercer une pression sur l'ensemble de la chaîne d'approvisionnement mondiale en mémoire, indépendamment du pays d'origine du fabricant.
Si les droits de douane annoncés entrent en vigueur, l'impact sur les marchés grand public et professionnels pourrait être considérable. Les prix de la RAM augmentent déjà rapidement, et des droits de douane supplémentaires risquent d'aggraver la crise actuelle et de faire grimper les prix. (
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